Стандарты оперативной памяти

JEDEC утвердила стандарт оперативной памяти DDR5
Вложение 7152
Отраслевая организация JEDEC, разрабатывающая стандарты для микроэлектронной отрасли, утвердила финальную спецификацию оперативной памяти DDR5 (Double Data Rate 5). Новый стандарт памяти DRAM, широко использующейся в потребительской электронике, получил внутреннее обозначение JESD79-5.

Напомним, JEDEC анонсировала DDR5 еще в 2017 году. То есть, разработка нового стандарта заняла три года. Впрочем, еще до принятия стандарта ведущие производители DRAM — Samsung, SK Hynix и Micron — располагали рабочими образцами модулей DDR5 на кристаллах плотностью 16 Гбит. Сейчас они вовсю готовятся к началу поставок модулей DDR5 DIMM для серверов в этом году. К слову, одновременно с объявлением JEDEC о принятии стандарта Micron сообщила о запуске программы Technology Enablement Program, нацеленной на ускорение принятия памяти DDR5 и выпуск соответствущих устройств с ее использованием. К инициативе уже присоединились основные игроки рынка Cadence, Montage, Rambus, Renesas и Synopsys.

Спецификация DDR5 предусматривает повышение производительности до 6400 MT/s (миллионов транзакций в секунду) с 3200 MT/s для памяти предыдущего поколения при одновременном снижении напряжения с 1,2 до 1,1 В, что обеспечит существенный прирост энергоэффективности (ГБ/с на ватт затрачиваемой мощности) по сравнению с памятью предыдущего поколения. Здесь важно оговорить, что на первых порах будут доступны менее скоростные модули DDR5-4800 (текущие модули DDR4 DIMM поддерживают частоты 2800-3200 МГц), а более быстрые оверклокерские модели появятся только со временем.
Вложение 7153
Однако основным преимуществом DDR5 является не скорость, а объем. Минимальная плотность одного кристалла DDR5 составляет 8 Гбит, а максимальная — 64 Гбит (8 Гбайт), что в четыре раза превышает показатель DDR4. Это позволит создавать модули UDIMM объемом 128 Гбайт, а в случае серверных LRDIMM максимальная емкость достигнет впечатляющих 2 ТБ.

Число банков по сравнению с DDR4 увеличилось вдвое — с 16 в 4 группах до 32 в 8 группах, как и максимальная длина пакета (объем данных, передаваемых по одной команде чтения или записи) — с 8 до 16.

Количество контактных площадок не изменилось — их по-прежнему 288, но ключи будут расположены иначе, что исключит возможность установки модуля DDR5 в неподходящий слот.
https://www.youtube.com/watch?v=j3m2cfZigY4
Известно, что память DDR5 DRAM будут поддерживать серверные процессоры AMD EPYC Genoa (Zen 4) и Intel Xeon Scalable Sapphire Rapids. Что касается появления DDR5 в массовых ПК, то этого не стоит ждать раньше второй половины 2021 года, а то и начала 2022 года. Согласно прогнозу IDC, в следующем году память DDR5 займет 22% общего рынка DRAM, а к концу 2022 года ее доля достигнет 43% в общем объеме. К слову, DDR4 перешагнула 45-процентный рубеж в 2016 году.

Источник: JEDEC и Videocardz

У Team Group готовы первые модули DDR5 потребительского уровня
Вложение 8028
Компания Team Group, известная своими добротными модулями ОЗУ, с гордостью сообщила о том, что ей удалось создать первый в мире инженерный образец памяти DDR5 потребительского уровня.

«Благодаря сотрудничеству исследовательских групп Team Group удалось ускорить разработку памяти DDR5, скорректировав начальные параметры. Успешное завершение этапа валидации подтвердит, что рабочие частоты продуктов DDR5 превосходят частоты разогнанных решений DDR4, что станет очередным существенным шагом вперед в эволюции компьютерной памяти».

из официального пресс-релиза Team Group

Team Group сотрудничает с ведущими производителями материнских плат, такими как ASUS, MSI, ASRock и Gigabyte, предоставляя им опытные инженерные образцы новейших модулей для тестирования.

Team Group планирует выпустить 16-гигабайтные модули серии Elite DDR5, работающие на эффективной частоте 4800 МГц с напряжением питания 1,1 В, в третьем квартале 2021 года. В перспективе предложение будет расширено более скоростными модулями, например, DDR5-5200.

Напомним, JEDEC утвердила финальную спецификацию оперативной памяти DDR5 в июле 2020 года, а в октябре SK Hynix сообщил о выпуске «первых в мире» модулей оперативной памяти стандарта DDR5.

Ожидается, что первыми потребительскими процессорами с поддержкой ОЗУ стандарта DDR5 станут Intel Alder Lake-S для платформы LGA1700 и AMD Ryzen 6000 с микроархитектурой Zen 4 в конструктивном исполнении AM5. Оба семейства CPU, если верить предыдущим утечкам, выйдут во второй половине 2021-го. Но, как всегда, нельзя исключать возможный перенос.

Источник: ITC.ua и videocardz.com

ADATA готовится к выпуску модулей оперативной памяти DDR5
Вложение 8109
Компания ADATA готовится вывести на рынок модули памяти DDR5 следующего поколения, которые позволят повысить скорость работы и ёмкость подсистемы оперативной памяти. Компания тесно сотрудничает с двумя производителями материнских плат, MSI и Gigabyte, чтобы обеспечить оптимальную работу за счёт синергии между модулями ADATA DDR5 и их новейшими платформами Intel.

Среди других инициатив ADATA, MSI и Gigabyte проводят совместные испытания и исследования, чтобы гарантировать оптимальный разгон модулей памяти DDR5 на новейших платформах Intel в соответствии с требовательными геймерами стандартами. ADATA и упомянутые производители будут одновременно выпускать модули памяти DDR5 и DDR5-совместимые материнские платы.

Модули оперативной памяти ADATA DDR5 будут обеспечивать скорость до 8400 МТ/с и иметь ёмкость до 64 ГБ. Модули также получат поддержку коррекции ошибок и функции управления питанием для повышения энергоэффективности при снижении напряжения питания до 1,1 В.

Однако компания пока не уточняет, когда новые модули памяти DDR5 поступят на рынок и какова будет их цена.

Источники: ITC.ua и videocardz

Samsung разработала модули памяти DDR5 ёмкостью 512 ГБ с пропускной способностью до 7200 Мбит/с
Вложение 8489
Компания Samsung сообщила о разработке первых в отрасли модулей памяти DDR5, обладающих невероятной ёмкостью 512 ГБ. Такие модули ориентированы на применение в системах для обработки задач искусственного интеллекта, машинного обучения, гипермасштабных вычислений, аналитики, сетевых решений и других рабочих нагрузок с большим объёмом данных.

Новые модули памяти Samsung DDR5 емкостью 512 ГБ основаны на технологии HKMG (High-K Metal Gate), которая предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической константы и металлизированных затворов. Эта же технология применяется и для изготовления модулей видеопамяти GDDR6. Она позволяет использовать модулям на 13% меньше энергии и снижает утечки энергии.
Вложение 8490
Новые модули памяти Samsung DDR5 обеспечивают двукратный прирост производительности по сравнению с DDR4 и достигают скорости передачи данных для каждого контакта 7200 Мбит/с. Каждый модуль включает 40 чипов памяти DRAM. В свою очередь, чипы представляют собой 8-слойные конструкции, состоящие из пластин DRAM ёмкостью по 16 Гбит, которые объединены с помощью соединения TSV (Through-Silicon-Via).

Samsung уже приступила к тестированию новых модулей и намерена завершить испытания и сертификацию к тому времени, когда на рынок начнут поступать серверные системы с поддержкой памяти DDR5.

Источник: wccftech

Китай уже готов к массовому производству модулей памяти DDR5
Вложение 8529
Крупные игроки полупроводниковой отрасли уже анонсировали память DDR5, но пока ещё не приступили к массовому производству новых модулей. Теперь же компания Jiahe Jinwei – четвёртый по величине производитель памяти в Китае – официально заявила, что на её фабрику начала поступать оперативная память DDR5 от Micron. Таким образом, компания может начать массовое производство новых модулей памяти.

Китайская компания Jiahe Jinwei является владельцем таких брендов оперативной памяти, как Guangwei и Asgard. Последняя недавно анонсировала свою первую память DDR5 объёмом до 128 ГБ, работающую на частоте 4800 МГц.

Память DDR5 отличается от нынешней DDR4 в требованиях к питанию, возможном объёме, поддержке исправления ошибок и возможностях разгона. Так, память DDR5 будет потре***ть меньше энергии, предлагать увеличенный объём модулей и более высокую частоту. Кроме того, модули памяти будут иметь встроенные контроллеры питания, которые обеспечат более высокие тактовые частоты при разгоне.

Ожидается, что Intel выпустит первую платформу с поддержкой DDR5 с серией процессоров Core 12-го поколения (Alder Lake-S) в конце этого года. Переход на стандарт DDR5 потребует времени, поэтому в своих будущих чипсетах 600-й серии Intel будет предлагать поддержку как DDR4, так и DDR5. AMD также предложит платформу с поддержкой DDR5 с выходом новых процессоров на базе архитектуры Zen4, которые получат новый разъём AM5. Точные сроки выхода таких чипов пока не называются.

Источник: videocardz

Раскрыты спецификации первых массовых модулей памяти DDR5: 64 ГБ, 4800 МГц, CL40, в дальнейшем – до 128 ГБ, 6400 МГц (более 10000 МГц в разгоне)
Вложение 8677
Недавно сообщалось, что первые модули памяти DDR5 успешно прошли фазу тестирования. Такие устройства уже запущены в массовое производство, а теперь раскрыты спецификации этих комплектов.

Китайские производители памяти уже проверяют совместимость своих модулей памяти с материнскими платами ASUS, MSI, ASRock, Gigabyte и др. Новая платформа Intel Alder Lake (процессоры Core 12-го поколения) первой получит поддержку памяти DDR5.

Начиная с этого года, будет доступна оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. Обе версии поддерживают частоту 4800 МГц при таймингах CL40 и рабочем напряжении питания 1,1 В. Это стандартные рабочие частоты. Можно также ожидать, что некоторые известные бренды, такие как G.Skill, Corsair, Kingston, будут выпускать и более скоростные модули, работающие с частотами 5000-5400 МГц.

В течение 2021-2022 годов производители памяти смогут предлагать более совершенные модули DDR5, которые будут иметь объём 32 ГБ и 64 ГБ. Такие модули сохранят напряжение питания 1,1 В, но тайминги достигнут уровня CL46. Модули памяти объёмом 128 ГБ также ожидаются в период между 2021-2022 годами. Производители памяти рассматривают целевой период их выпуска – в середине 2022 года, хотя некоторые ограниченные комплекты могут появиться в продаже и раньше, но по очень высоким ценам. Модули объёмом 128 ГБ будут иметь частоту 5600 МГц, тайминги CL46 и частоту 1,1 В.

В период с 2022 по 2023 год ожидается существенное улучшение характеристик памяти. Массовые модули будут поставляться с емкостью 64 ГБ и 128 ГБ и поддерживать частоту до 6400 МГц (без разгона), что является максимальным пределом для DDR5 в соответствии со стандартом. Эти модули памяти DDR5 сохранят напряжение 1,1 В и будут иметь тайминги CL52.

Как ожидается, специальные разогнанные комплекты памяти DDR5 DRAM будут иметь гораздо более высокие рабочие частоты и уменьшенные тайминги. В будущем также появятся более быстрые модули памяти, а некоторые производители даже говорят о частотах (в рамках этапа исследования) более 10000 МГц.

Ожидается, что память DDR5 позволит увеличить производительность более чем в 2 раза по сравнению с DDR4. Мы уже видели, что память DDR4 способна достигать в условиях разгона частоты более 7 ГГц. Поэтому частота более 10 ГГц не кажется большой проблемой для памяти следующего поколения.

Источник: wccftech

TrendForce прогнозує здешевлення пам’яті NAND та DDR5 SDRAM через надлишок виробництва та зниження попиту
Вложение 11101
Аналітики з TrendForce називають падінням на ринку флеш-пам’яті NAND сейсмічним шоком. Виробники накопичили значний запас чипів, який не вдалося реалізувати через різке падіння попиту.

Агентство оцінює подальше падіння цін на NAND в 30-35% протягом третього кварталу 2022 року, це прямо позначиться на зниженні вартості SSD для споживача. До кінця року цей тренд продовжиться.
Вложение 11102
Контрактні ціни на пам’ять DDR5 тільки в липні впали на 20% і, як очікується, знижуватимуться до кінця цього року. Темп зниження випередив навіть падіння вартості DDR4, що склало 10-15%. Ця тенденція також збережеться до кінця року й надалі.
Вложение 11103
Напівпровідникова галузь традиційно відчуває цикли буму та спаду. Виробники нарощують виробництво, щоб уникнути дефіциту, проте цього разу попит був переоцінений. До такого результату призвела ***упність факторів – наслідки пандемії, війна в Україні, різкий стрибок цін на енергоносії та інфляція. Остання, окрім недоотримання прибутку, веде й до зростання витрат, «з’їдаючи» отримане раніше.

Частково падіння ціни компенсує можливість кінцевого споживача наростити обсяги пам’яті у своїх пристроях понад заплановане раніше. Однак фактор інфляції знижує цю можливість.

В Україні будь-яке світове падіння цін буде перекрито прогнозованою значною інфляцією. Також у найближчі місяці очікується зростання цін на електроніку та інші товари, що імпортуються.

Джерела: Tom`s HARDWARE, DigiTimes Asia